NVH4L020N090SC1

onsemi

NVH4L020N090SC1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SIC MOSFET 900V TO247-4L

AktivTO-247-4Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 60A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4415 pF @ 450 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+22V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 20mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C116A (Tc)
Max. Verlustleistung484W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-247-4
Hersteller-GehäuseTO-247-4L

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)