NVD5890NLT4G-VF01

onsemi

NVD5890NLT4G-VF01

Analog & Leistungselektronik

NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4760 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Ta), 123A (Tc)
Max. Verlustleistung4W (Ta), 107W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)