NVD5863NLT4G

onsemi

NVD5863NLT4G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.1mOhm @ 41A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3850 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14.9A (Ta), 82A (Tc)
Max. Verlustleistung3.1W (Ta), 96W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)