NVD5484NLT4G-VF01

onsemi

NVD5484NLT4G-VF01

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1410 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.7A (Ta), 54A (Tc)
Max. Verlustleistung3.9W (Ta), 100W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)