NVBLS4D0N15MC

onsemi

NVBLS4D0N15MC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF

Aktiv8-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.4mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7490 pF @ 75 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 584µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Ta), 187A (Tc)
Max. Verlustleistung3.4W (Ta), 316W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
Hersteller-Gehäuse8-HPSOF

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)