NVBLS0D7N06C

onsemi

NVBLS0D7N06C

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF

Aktiv8-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.75mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13730 pF @ 30 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 661µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C54A (Ta), 470A (Tc)
Max. Verlustleistung4.2W (Ta), 314W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
Hersteller-Gehäuse8-HPSOF

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)