NVBGS4D1N15MC

onsemi

NVBGS4D1N15MC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK

AktivTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.1mOhm @ 104A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7285 pF @ 75 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 574µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 185A (Tc)
Max. Verlustleistung3.7W (Ta), 316W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Hersteller-GehäuseD2PAK (TO-263)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)