NVBGS1D2N08H

onsemi

NVBGS1D2N08H

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

T8-80V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUT

ObsoletAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.34mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10830 pF @ 40 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 650µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C43A (Ta), 290A (Tc)
Max. Verlustleistung5.7W (Ta), 259W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101