NVATS4A103PZT4G

onsemi

NVATS4A103PZT4G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CHANNEL 30V 60A ATPAK

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 28A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2430 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Ta)
Max. Verlustleistung60W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101