NTZD5110NT1G

onsemi

NTZD5110NT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563

AktivSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Basis-TeilenummerNTZD5110
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds24.5pF @ 20V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C294mA
Power - Max250mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseSOT-563

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)