NTZD3155CT1G

onsemi

NTZD3155CT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

AktivSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 540mA, 4.5V
Basis-TeilenummerNTZD3155
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 16V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C540mA, 430mA
Power - Max250mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseSOT-563

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)