NTTBC070NP10M5L

onsemi

NTTBC070NP10M5L

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 100V 3.5A 8WDFN

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 1.3A, 10V, 186mOhm @ 2.2A, 10V
Basis-TeilenummerNTTBC070
KonfigurationN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.6nC @ 10V, 7.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds252pF @ 50V, 256pF @ 50V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 24µA, 4V @ 40µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta), 9.5A (Tc), 2.2A (Ta), 5A (Tc)
Power - Max1.9W (Ta), 14W (Tc), 1.9W (Ta), 10W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-WDFN (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)