NTS4172NT1G

onsemi

NTS4172NT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3

ObsoletSC-70, SOT-323Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs93mOhm @ 1.7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds381 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Ta)
Max. Verlustleistung294mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Hersteller-GehäuseSC-70-3 (SOT323)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)