NTS2101PT1

onsemi

NTS2101PT1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3

ObsoletSC-70, SOT-323Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 1A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds640 pF @ 8 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Ta)
Max. Verlustleistung290mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Hersteller-GehäuseSC-70-3 (SOT323)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)