NTR3A085PZT1G

onsemi

NTR3A085PZT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs77mOhm @ 1.6A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds586 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.9A (Ta)
Max. Verlustleistung420mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)