NTP011N15MC

onsemi

NTP011N15MC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 150V 9.8/74.3A TO220

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.9mOhm @ 41A, 10V
Basis-TeilenummerNTP011
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2810 pF @ 75 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 223µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.8A (Ta), 74.3A (Tc)
Max. Verlustleistung2.4W (Ta), 136.4W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)