NTNS4C69NTCG

onsemi

NTNS4C69NTCG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH SMD

Obsolet3-XFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 300mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds75 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 10µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Max. Verlustleistung178mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
Hersteller-GehäuseSOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)