NTNS2K1P021ZTCG

onsemi

NTNS2K1P021ZTCG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 127MA 3XDFN

Aktiv3-XFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 100mA, 4.5V
Basis-TeilenummerNTNS2
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12800 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C127mA (Ta)
Max. Verlustleistung125mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
Hersteller-Gehäuse3-XDFN (0.42x0.62)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)