NTMYS7D3N04CLTWG

onsemi

NTMYS7D3N04CLTWG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK

AktivSOT-1023, 4-LFPAKAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds860 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 30µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta), 52A (Tc)
Max. Verlustleistung3.8W (Ta), 38W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-1023, 4-LFPAK
Hersteller-GehäuseLFPAK4 (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)