NTMYS4D5N04CTWG

onsemi

NTMYS4D5N04CTWG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 20A/80A 4LFPAK

AktivSOT-1023, 4-LFPAKAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 35A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1150 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 50µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 80A (Tc)
Max. Verlustleistung3.6W (Ta), 55W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1023, 4-LFPAK
Hersteller-GehäuseLFPAK4 (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)