NTMYS2D9N04CLTWG

onsemi

NTMYS2D9N04CLTWG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 27A/110A 4LFPAK

AktivSOT-1023, 4-LFPAKAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 40A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2100 pF @ 20 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 11µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Ta), 110A (Tc)
Max. Verlustleistung3.7W (Ta), 68W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1023, 4-LFPAK
Hersteller-GehäuseLFPAK4 (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)