NTMTSC1D6N10MCTXG

onsemi

NTMTSC1D6N10MCTXG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 90A, 10V
Basis-TeilenummerNTMTSC1
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7630 pF @ 50 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 650µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Ta), 267A (Tc)
Max. Verlustleistung5.1W (Ta), 291W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-TDFNW (8.3x8.4)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)