NTMTSC1D5N08MC

onsemi

NTMTSC1D5N08MC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNW

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.56mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10400 pF @ 40 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
SerieDual Cool™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 650µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Ta), 287A (Tc)
Max. Verlustleistung3.3W (Ta), 250W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-TDFNW (8.3x8.4)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)