NTMTSC002N10MCTXG

onsemi

NTMTSC002N10MCTXG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2mOhm @ 90A, 10V
Basis-TeilenummerNTMTSC002
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6305 pF @ 50 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 520µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C45A (Ta), 236A (Tc)
Max. Verlustleistung9W (Ta), 255W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-TDFNW (8.3x8.4)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)