NTMT185N60S5H

onsemi

NTMT185N60S5H

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88

Abgekündigt4-PowerTSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs185mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 400 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieSuperFET® III
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 1.4mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
Max. Verlustleistung116W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case4-PowerTSFN
Hersteller-Gehäuse4-TDFN (8x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)