NTMT110N65S3HF

onsemi

NTMT110N65S3HF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

Aktiv4-PowerTSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2635 pF @ 400 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSuperFET® III, FRFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 740µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Max. Verlustleistung240W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case4-PowerTSFN
Hersteller-Gehäuse4-PQFN (8x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)