NTMT061N60S5F

onsemi

NTMT061N60S5F

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SUPERFET5 FRFET, 61MOHM, PQFN88

Aktiv4-PowerTSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs61mOhm @ 20.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4175 pF @ 400 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSuperFET® V, FRFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.8V @ 4.6mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C41A (Tc)
Max. Verlustleistung255W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case4-PowerTSFN
Hersteller-Gehäuse4-TDFN (8x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)