NTMS5P02R2

onsemi

NTMS5P02R2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Basis-TeilenummerNTMS5P
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1900 pF @ 16 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.05A (Tj)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC