NTMKB4895NT1G

onsemi

NTMKB4895NT1G

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 15A/66A 4ICEPAK

Obsolet4-ICEPAKAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1644 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta), 66A (Tc)
Max. Verlustleistung2.2W (Ta), 42W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case4-ICEPAK
Hersteller-Gehäuse4-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)