NTMJS1D7N04CTWG

onsemi

NTMJS1D7N04CTWG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 35A/185A 8LFPAK

AktivSOT-1205, 8-LFPAK56Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3300 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 130µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Ta), 185A (Tc)
Max. Verlustleistung3.8W (Ta), 106W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1205, 8-LFPAK56
Hersteller-Gehäuse8-LFPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)