NTMJS0D9N03CGTWG

onsemi

NTMJS0D9N03CGTWG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V LFPAK8

ObsoletSOT-1205, 8-LFPAK56Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.9mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs131.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9550 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 200µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Ta), 315A (Tc)
Max. Verlustleistung3.9W (Ta), 150W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1205, 8-LFPAK56
Hersteller-Gehäuse8-LFPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)