NTMFSC4D2N10MC

onsemi

NTMFSC4D2N10MC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 44A, 10V
Basis-TeilenummerNTMFSC4
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2856 pF @ 50 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C29.6A (Ta), 116A (Tc)
Max. Verlustleistung7.9W (Ta), 122W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-DFN (5x6.15)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)