NTMFSC010N08M7

onsemi

NTMFSC010N08M7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CHANNEL 80V 61A

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2700 pF @ 40 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieDual Cool™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 120µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.5A (Ta), 61A (Tc)
Max. Verlustleistung3.3W (Ta), 78.1W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-DFN (5x6.15)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)