NTMFS5C612NT1G-TE

onsemi

NTMFS5C612NT1G-TE

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN

Aktiv8-PowerTDFN, 5 LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6mOhm @ 50A, 10V
Basis-TeilenummerNTMFS5
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4830 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Ta), 230A (Tc)
Max. Verlustleistung3.8W (Ta), 170W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Hersteller-Gehäuse5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)