NTMFS4C822NAT3G

onsemi

NTMFS4C822NAT3G

Analog & Leistungselektronik

TRENCH 6 30V NCH

Abgekündigt8-PowerTDFN, 5 LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3071 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Ta), 136A (Tc)
Max. Verlustleistung3.1W (Ta), 64W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Hersteller-Gehäuse5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)