NTMFS4854NST3G

onsemi

NTMFS4854NST3G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs85 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4830 pF @ 12 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieSENSEFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3.2V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.2A (Ta), 149A (Tc)
Max. Verlustleistung900mW (Ta), 86.2W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäuseSO-8FL

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)