NTMFD4C86NT3G

onsemi

NTMFD4C86NT3G

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.4mOhm @ 30A, 10V
Basis-TeilenummerNTMFD4
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1153pF @ 15V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.3A, 18.1A
Power - Max1.1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-DFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)