NTMFD4C20NT3G

onsemi

NTMFD4C20NT3G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerNTMFD4
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds970pF @ 15V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.1A, 13.7A
Power - Max1.09W, 1.15W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)