NTMFD4901NFT3G

onsemi

NTMFD4901NFT3G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerNTMFD4901
Konfiguration2 N-Channel (Dual), Schottky
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1150pF @ 15V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.3A, 17.9A
Power - Max1.1W, 1.2W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)