NTMFD0D9N02P1E

onsemi

NTMFD0D9N02P1E

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V/25V 14A 8PQFN

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
Basis-TeilenummerNTMFD0D9
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 340µA, 2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V, 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta), 30A (Ta)
Power - Max960mW (Ta), 1.04W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)