NTMD6P02R2G

onsemi

NTMD6P02R2G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Basis-TeilenummerNTMD6
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1700pF @ 16V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.8A
Power - Max750mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)