NTMD3N08LR2

onsemi

NTMD3N08LR2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs215mOhm @ 2.5A, 10V
Basis-TeilenummerNTMD3
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds480pF @ 25V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A
Power - Max3.1W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC