NTLUS4C16NTBG

onsemi

NTLUS4C16NTBG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6UDFN

Abgekündigt6-PowerUFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.4mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds690 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
SerieµCool™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.1A (Ta)
Max. Verlustleistung650mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerUFDFN
Hersteller-Gehäuse6-UDFN (1.6x1.6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)