NTLUS4195PZTBG

onsemi

NTLUS4195PZTBG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN

Obsolet6-PowerUFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 3A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds250 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Max. Verlustleistung600mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerUFDFN
Hersteller-Gehäuse6-UDFN (1.6x1.6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)