NTLUS3A39PZTAG

onsemi

NTLUS3A39PZTAG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN

Aktiv6-PowerUFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 4A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds920 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieµCool™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.4A (Ta)
Max. Verlustleistung600mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerUFDFN
Hersteller-Gehäuse6-UDFN (1.6x1.6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)