NTLUS029N06T6TAG

onsemi

NTLUS029N06T6TAG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 3.5A 6UDFN

Aktiv6-PowerUFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds410 pF @ 30 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 15µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
Max. Verlustleistung600mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-PowerUFDFN
Hersteller-Gehäuse6-UDFN (1.6x1.6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)