NTLTD7900ZR2G

onsemi

NTLTD7900ZR2G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8DFN

Obsolet8-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 6.5A, 4.5V
Basis-TeilenummerNTLTD79
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15pF @ 16V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusObsolet
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A
Power - Max1.5W

Mechanisch

Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-DFN (3x3), (MICRO8 LEADLESS)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)