NTLLD4901NFTWG

onsemi

NTLLD4901NFTWG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN

Obsolet8-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17.4mOhm @ 9A, 10V
Basis-TeilenummerNTLLD4901
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds605pF @ 15V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A, 6.3A
Power - Max800mW, 810mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-WDFN (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)