NTLJS1102PTAG

onsemi

NTLJS1102PTAG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN

Obsolet6-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 6.2A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1585 pF @ 4 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieµCool™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±6V
Vgs(th) (Max) @ Id720mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.7A (Ta)
Max. Verlustleistung700mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-WDFN (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)