NTLJD4150PTBG

onsemi

NTLJD4150PTBG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN

Obsolet6-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs135mOhm @ 4A, 10V
Basis-TeilenummerNTLJD41
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 15V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.8A
Power - Max700mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-WDFN (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)